为什麽波长在10纳米以下的XS线光刻机，最後被极紫外光（EUV）淘汰?
原因有两个，一是效率问题，XS线照S下光刻胶的光刻速度b较慢；二是JiNg确度问题，为什麽说波长10纳米以下的XS线，光刻JiNg度差?因为掩模做不到10纳米以下。
掩模就是电路图的母板，为什麽极紫外光（EUV）的JiNg度高，原因在於紫外光可以使用凸透镜缩小从掩模过来的光线，而所有人都知道XS线的穿透力非常强，凸透镜根本无法聚焦。
所以XS线光刻机被淘汰了。
市面上没有XS线光刻机，也就意味着没有客户。
“这个问题不是问题。”
“社长没有客户的话……”
h明哲打断了马知力：“知道XS线光刻机为什麽被淘汰吗?”
马知力点了点头。
“效率问题在於光刻胶的光敏X，如果我们研发一种可以在几秒钟内完成光刻的XS线光刻胶，那效率还是问题吗?”h明哲反问道。
“嗯?”马知力一愣。
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